Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN1150UFB-7B

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

6307750

DMN1150UFB-7B-Bild.

Diodes Incorporated

DMN1150UFB-7B

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

10000+

$0.069

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

DMN1150UFB-7B
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN1150UFB-7B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

3-DFN1006 (1.0x0.6)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)

500mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

3-UFDFN
Andere Namen

DMN1150UFB-7BDITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

106pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 12V 1.41A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.41A (Ta)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "DMN1150UFB-7B" -Einziper.

DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Beschreibung: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN13H750S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN13H750S-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2004DMK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN15H310SE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN1260UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN1250UFEL-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN1150UFL3-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220LE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H700S-7

Beschreibung: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220LVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H700S-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.