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6228944DMN13H750S-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN13H750S-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN13H750S-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN13H750S-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    750 mOhm @ 2A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    770mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DMN13H750S-7DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    231pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    130V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 130V 1A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN13H750S-7" -Einziper.
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN13H750S-13

DMN13H750S-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Beschreibung: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Beschreibung: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN2004VK-7

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated
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