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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN2020LSN-7

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4466933

DMN2020LSN-7-Bild.

Diodes Incorporated

DMN2020LSN-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN2020LSN-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN2020LSN-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-59-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Verlustleistung (max)

610mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

DMN2020LSN-7DIDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1149pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.6nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 6.9A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.9A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN2020LSN-7" -Einziper.

DMN2016LHAB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2020UFCL-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2027LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2022UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2027UPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2026UVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2022UNS-13

Beschreibung: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2013UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2022UNS-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2022UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2026UVT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2014LHAB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2015UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2016LFG-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

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