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DMN2016UTS-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN2016UTS-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN2016UTS-13.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-TSSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • Leistung - max
    880mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Andere Namen
    DMN2016UTS-13DICT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1495pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16.5nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 8.58A 880mW Surface Mount 8-TSSOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8.58A
  • Basisteilenummer
    DMN2016U

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Das Folgende sind "DMN2016UTS-13" -Einziper.
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2026UVT-7

DMN2026UVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

Beschreibung: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2026UVT-13

DMN2026UVT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
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