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6296703DMN26D0UT-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN26D0UT-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN26D0UT-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN26D0UT-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-523
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    300mW (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-523
  • Andere Namen
    DMN26D0UT-7DIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    14.1pF @ 15V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 230mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-523
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    230mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMN26D0UT-7" -Einziper.
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Hersteller: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Hersteller: Diodes Incorporated
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