Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN2990UFA-7B

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

1505985

DMN2990UFA-7B-Bild.

Diodes Incorporated

DMN2990UFA-7B

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

10000+

$0.14

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

DMN2990UFA-7B
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 0.51A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN2990UFA-7B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

3-X2-DFN0806
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

400mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

3-XFDFN
Andere Namen

DMN2990UFA-7BDITR
DMN2990UFA7B
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

27.6pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 510mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 3-X2-DFN0806
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

510mA (Ta)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "DMN2990UFA-7B" -Einziper.

DMN3007LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2990UFZ-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2501UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3008SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3008SFGQ-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN26D0UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3008SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2600UFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2550UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3005LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2990UDJ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3007LSSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2500UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN26D0UDJ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3008SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN25D0UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN26D0UT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.