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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN3007LSSQ-13

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5794426

DMN3007LSSQ-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN3007LSSQ-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3007LSSQ-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3007LSSQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2714pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64.2nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3007LSSQ-13" -Einziper.

DMN3008SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2990UDJ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2990UFZ-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN26D0UT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009LFVW-7

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN26D0UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009LFVW-13

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3008SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2990UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3005LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3008SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3007LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN26D0UDJ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3008SFGQ-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

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