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5004767DMN61D8LQ-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN61D8LQ-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN61D8LQ-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN61D8LQ-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8 Ohm @ 150mA, 5V
  • Verlustleistung (max)
    390mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DMN61D8LQ-7DICT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    12.9pF @ 12V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    3V, 5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 470mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    470mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMN61D8LQ-7" -Einziper.
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8LVTQ-13

DMN61D8LVTQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN61D9U-7

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN61D9UDW-13

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

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DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

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DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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