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6470691DMN61D9UDW-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN61D9UDW-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN61D9UDW-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN61D9UDW-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 50mA, 5V
  • Leistung - max
    320mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    DMN61D9UDW-7DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    28.5pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.4nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 350mA 320mW Surface Mount SOT-363
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    350mA

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Das Folgende sind "DMN61D9UDW-7" -Einziper.
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0LFB-7B

DMN62D0LFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D9UWQ-13

DMN61D9UWQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8LVTQ-13

DMN61D8LVTQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D9U-7

DMN61D9U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

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