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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN61D9UW-7

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DMN61D9UW-7-Bild.

Diodes Incorporated

DMN61D9UW-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN61D9UW-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 0.34A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN61D9UW-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-323
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 50mA, 5V
Verlustleistung (max)

320mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

DMN61D9UW-7DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28.5pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 340mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

340mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMN61D9UW-7" -Einziper.

DMN62D0U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN62D0LFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D9UDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D8LVTQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D9UDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN62D0SFD-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN62D0UDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN62D0U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D9UW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D8LVT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D9U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D8LVTQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D9UWQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN62D0UDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D9UWQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D8LVT-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN62D0LFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D8LQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN61D9U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN62D0LFD-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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