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2441227DMN61D9UWQ-13-Bild.Diodes Incorporated

DMN61D9UWQ-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN61D9UWQ-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN61D9UWQ-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-323
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 50mA, 5V
  • Verlustleistung (max)
    440mW (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Andere Namen
    DMN61D9UWQ-13DIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    28.5pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.4nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 400mA (Ta) 440mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    400mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMN61D9UWQ-13" -Einziper.
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8LVTQ-13

DMN61D8LVTQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0UDW-13

DMN62D0UDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0LFB-7B

DMN62D0LFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN61D9U-7

DMN61D9U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

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