Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN63D1LW-13
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3771906DMN63D1LW-13-Bild.Diodes Incorporated

DMN63D1LW-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
10000+
$0.045
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN63D1LW-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN63D1LW-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-323
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    310mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    30pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.3nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 380mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    380mA (Ta)

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMN63D1LW-13" -Einziper.
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D0LT-7

DMN63D0LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1L-13

DMN63D1L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.