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4646385DMN63D1LW-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN63D1LW-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN63D1LW-7
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-323
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    310mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    30pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.3nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 380mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    380mA (Ta)
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D1L-13

DMN63D1L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D0LT-7

DMN63D0LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
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