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242702DMN65D8LFB-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN65D8LFB-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN65D8LFB-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN65D8LFB-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    X1-DFN1006-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 115mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    430mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    3-UFDFN
  • Andere Namen
    DMN65D8LFB-7-ND
    DMN65D8LFB-7DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 25V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    260mA (Ta)

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DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LW-7

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN65D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

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