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3744050DMN67D8L-13-Bild.Diodes Incorporated

DMN67D8L-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN67D8L-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN67D8L-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    340mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.82nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 210mA (Ta) 340mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    210mA (Ta)

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DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
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