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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN67D8LW-7

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DMN67D8LW-7-Bild.

Diodes Incorporated

DMN67D8LW-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN67D8LW-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V SOT323
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN67D8LW-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-323
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

320mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.82nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 240mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

240mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMN67D8LW-7" -Einziper.

DMN90H2D2HCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN66D0LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN67D8L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN7022LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN80H2D0SCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN7022LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN67D8LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN66D0LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN67D7L-13

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN67D7L-7

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN67D8LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN67D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN67D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN66D0LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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