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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMT3006LFDF-13

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6731047

DMT3006LFDF-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMT3006LFDF-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT3006LFDF-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT3006LFDF-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

U-DFN2020-6 (Type F)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)

800mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3.7V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 14.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14.1A (Ta)

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Das Folgende sind "DMT3006LFDF-13" -Einziper.

DMT3003LFG-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFG-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFDF-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3002LPS-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3004LPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3009LDT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT2P68K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT3003LFG-7

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT2S47K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT3008LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3009LFVW-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3004LFG-7

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT2S1K-F

Beschreibung: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT3008LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3004LFG-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LDK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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