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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > DMT3009LDT-7

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DMT3009LDT-7-Bild.

Diodes Incorporated

DMT3009LDT-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT3009LDT-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT3009LDT-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

V-DFN3030-8 (Type K)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Leistung - max

1.2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-VDFN Exposed Pad
Andere Namen

DMT3009LDT-7-ND
DMT3009LDT-7DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 15V
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 30A 1.2W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A

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Das Folgende sind "DMT3009LDT-7" -Einziper.

DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3020LFDF-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3020LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3009LFVW-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3008LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3020LFDB-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3008LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LDK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFDF-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFG-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3011LDT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3009LFVW-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFDF-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3020LFDB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

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