Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMT3006LFG-13

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

5071179

DMT3006LFG-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMT3006LFG-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

3000+

$0.333

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

DMT3006LFG-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET NCH 30V 16A POWERDI
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT3006LFG-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)

27.8W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 16A (Ta), 55.6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Ta), 55.6A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "DMT3006LFG-13" -Einziper.

DMT3004LFG-7

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3003LFG-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3009LDT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LDK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3011LDT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3008LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFDF-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3004LFG-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3009LFVW-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3004LPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT2S47K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT3006LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3009LFVW-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3003LFG-7

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3006LFDF-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3008LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3002LPS-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.