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5570575DMT3011LDT-7-Bild.Diodes Incorporated

DMT3011LDT-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMT3011LDT-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMT3011LDT-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    V-DFN3030-8 (Type K)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 6A, 10V
  • Leistung - max
    1.9W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-VDFN Exposed Pad
  • Andere Namen
    DMT3011LDT-7-ND
    DMT3011LDT-7DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    641pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.2nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A, 10.7A

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Das Folgende sind "DMT3011LDT-7" -Einziper.
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3009LFVW-7

DMT3009LFVW-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT334R2S474M3DTA0

DMT334R2S474M3DTA0

Beschreibung: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
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