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3343026DMT6015LSS-13-Bild.Diodes Incorporated

DMT6015LSS-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMT6015LSS-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMT6015LSS-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.5W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    DMT6015LSS-13DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1103pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.9nC @ 30V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    9.2A (Ta)

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Das Folgende sind "DMT6015LSS-13" -Einziper.
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6010SCT

DMT6010SCT

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
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