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2306862

DMT69M8LFV-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT69M8LFV-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT69M8LFV-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (max)

42W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1925pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 45A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

45A (Tc)

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Das Folgende sind "DMT69M8LFV-13" -Einziper.

DMT6016LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6D33K-F

Beschreibung: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT6016LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6015LPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6P1K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT6017LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT68M8LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6015LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT8012LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6D1K

Beschreibung: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT69M8LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6016LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6016LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT8012LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6P1K

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT69M8LSS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6D47K-F

Beschreibung: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

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