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Zuhause > Produkte > Kondensatoren > Folien-Kondensatoren > DMT6P1K-F
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5844096DMT6P1K-F-Bild.Cornell Dubilier Electronics

DMT6P1K-F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMT6P1K-F
  • Hersteller / Marke
    CDE (Cornell Dubilier Electronics)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMT6P1K-F.pdf
  • Nennspannung - DC
    630V
  • Nennspannung - AC
    250V
  • Toleranz
    ±10%
  • Beendigung
    PC Pins
  • Größe / Dimension
    1.193" L x 0.539" W (30.30mm x 13.70mm)
  • Serie
    DMT
  • Bewertungen
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    Radial
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Leiter-Abstand
    1.043" (26.50mm)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Höhe - eingesteckt (max)
    0.736" (18.70mm)
  • Eigenschaften
    -
  • Dielektrikummaterial
    Polyester, Metallized
  • detaillierte Beschreibung
    0.1µF Film Capacitor 250V 630V Polyester, Metallized Radial
  • Kapazität
    0.1µF
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "DMT6P1K-F" -Einziper.
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Beschreibung: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Beschreibung: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Beschreibung: MOSFET 100V 108A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Beschreibung: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
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