DMTH8012LPSQ-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMTH8012LPSQ-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMTH8012LPSQ-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI5060-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)

2.6W (Ta), 136W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

DMTH8012LPSQ-13DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2051pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46.8nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 10A (Ta), 72A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta), 72A (Tc)

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Das Folgende sind "DMTH8012LPSQ-13" -Einziper.

DMTH8012LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH8012LPSQ-13

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