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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > ES2B-13
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6069025ES2B-13-Bild.Diodes Incorporated

ES2B-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES2B-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 2A SMB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    ES2B-13.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    920mV @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMB
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    ES2B13
    ES2BCT
    ES2BCT-ND
    ES2BDICT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 2A Surface Mount SMB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    ES2B

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Das Folgende sind "ES2B-13" -Einziper.
ES2B-13-F

ES2B-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES2AHM3/5BT

ES2AHM3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2B-E3/5BT

ES2B-E3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2B-LTP

ES2B-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES2B-E3/52T

ES2B-E3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2B-M3/5BT

ES2B-M3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2AHE3_A/I

ES2AHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2AHE3/5BT

ES2AHE3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2AHE3_A/H

ES2AHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2B

ES2B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES2B/1

ES2B/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2BA R3G

ES2BA R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2AHM4G

ES2AHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2B-M3/52T

ES2B-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2AAHR3G

ES2AAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2B-TP

ES2B-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES2AHR5G

ES2AHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2AHE3/52T

ES2AHE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2BA M2G

ES2BA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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ES2B R5G

ES2B R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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