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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > ES2B-LTP
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6875708ES2B-LTP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

ES2B-LTP

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10+
$0.362
100+
$0.238
500+
$0.141
1000+
$0.108
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES2B-LTP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    ES2B-LTPMSCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    ES2B
ES2BA M2G

ES2BA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2B

ES2B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ES2B-M3/52T

ES2B-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2B-TP

ES2B-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
ES2BA-13

ES2BA-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES2AHM4G

ES2AHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2B R5G

ES2B R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2B/1

ES2B/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2B-E3/5BT

ES2B-E3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2B-13-F

ES2B-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES2BAHR3G

ES2BAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2B-M3/5BT

ES2B-M3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2AHR5G

ES2AHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2AHM3/5BT

ES2AHM3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2BA R3G

ES2BA R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2BA-13-F

ES2BA-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES2BAHM2G

ES2BAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2B-13

ES2B-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES2B-E3/52T

ES2B-E3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2AHE3_A/I

ES2AHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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