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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RS1B-13
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5581973RS1B-13-Bild.Diodes Incorporated

RS1B-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1B-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1.RS1B-13.pdf
    2.RS1B-13.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    SMA
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Digi-Reel®
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    RS1BDIDKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    RS1B-13
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount SMA
  • Diodenkonfiguration
    5µA @ 100V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.3V @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    100V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

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Zahlung
Das Folgende sind "RS1B-13" -Einziper.
RS1B-M3/61T

RS1B-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1B-E3/61T

RS1B-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1B-13-F

RS1B-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1B-E3/5AT

RS1B-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1B-M3/5AT

RS1B-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1B/11

RS1B/11

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1ALHRVG

RS1ALHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1ATR

RS1ATR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
RS1BHE3/5AT

RS1BHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1ALHRUG

RS1ALHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B R3G

RS1B R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1ALHRQG

RS1ALHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1ALHRTG

RS1ALHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1ALHRHG

RS1ALHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B M2G

RS1B M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BB-13-F

RS1BB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1BB-13

RS1BB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1ALHRFG

RS1ALHRFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B

RS1B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1BFA

RS1BFA

Beschreibung: DIODE GP 100V 800MA SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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