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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RS1B/11
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5445005RS1B/11-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

RS1B/11

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1B/11
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1.RS1B/11.pdf
    2.RS1B/11.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    RS1B/11/T
    RS1B/11GI
    RS1BGI
    RS1BGI-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    RS1B

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Das Folgende sind "RS1B/11" -Einziper.
RS1BB-13

RS1BB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1B R3G

RS1B R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B-M3/61T

RS1B-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BL M2G

RS1BL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B-13-F

RS1B-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1ATR

RS1ATR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
RS1BHM2G

RS1BHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B-E3/5AT

RS1B-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1B-M3/5AT

RS1B-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BHE3/5AT

RS1BHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BHR3G

RS1BHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BFA

RS1BFA

Beschreibung: DIODE GP 100V 800MA SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1BHE3_A/I

RS1BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1B

RS1B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1B-13

RS1B-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1BHE3_A/H

RS1BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1B-E3/61T

RS1B-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BHE3/61T

RS1BHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BB-13-F

RS1BB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1B M2G

RS1B M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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