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3031055RS1BFA-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

RS1BFA

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15000+
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30000+
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75000+
$0.058
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1BFA
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GP 100V 800MA SOD123FA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1BFA.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-123FA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-123W
  • Andere Namen
    RS1BFA-ND
    RS1BFATR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 800mA Surface Mount SOD-123FA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1BFA" -Einziper.
RS1BB-13-F

RS1BB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1BHE3/61T

RS1BHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1B R3G

RS1B R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BHE3_A/H

RS1BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1B-E3/61T

RS1B-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BHR3G

RS1BHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B-13

RS1B-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1BL MQG

RS1BL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B-E3/5AT

RS1B-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BL M2G

RS1BL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B-M3/5AT

RS1B-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BL MHG

RS1BL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BB-13

RS1BB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1BHM2G

RS1BHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BHE3_A/I

RS1BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BL MTG

RS1BL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1B-13-F

RS1B-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1B-M3/61T

RS1B-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1BHE3/5AT

RS1BHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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RS1B/11

RS1B/11

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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