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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RS3G-13
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3033917RS3G-13-Bild.Diodes Incorporated

RS3G-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS3G-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    RS3G-13.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3A
  • Spannung - Durchschlag
    SMC
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Cut Tape (CT)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    50pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    RS3G13
    RS3GCT
    RS3GCT-ND
    RS3GDICT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    RS3G-13
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount SMC
  • Diodenkonfiguration
    5µA @ 400V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    400V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

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Das Folgende sind "RS3G-13" -Einziper.
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3G/7T

RS3G/7T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3GB-13-F

RS3GB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3GB-13

RS3GB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3GHE3/9AT

RS3GHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3GHE3/57T

RS3GHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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