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3548127RS3DHM6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS3DHM6G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS3DHM6G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS3DHM6G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "RS3DHM6G" -Einziper.
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3D-E3/57T

RS3D-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3D-M3/57T

RS3D-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3D-E3/9AT

RS3D-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3D-M3/9AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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