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RS3E095BNGZETB

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS3E095BNGZETB
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS3E095BNGZETB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    RS3E095BNGZETBCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    680pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    9.5A (Ta)

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RS3G-13-F

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RS3G-E3/9AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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RS3DHE3_A/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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RS3DHM6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3E075ATTB

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RS3G M6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3G V7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3DB-13

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
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RS3G-M3/9AT

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3G R7G

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3DHR7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

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RS3G-13

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
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RS3DHE3/9AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

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RS3G-E3/57T

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RS3D-M3/9AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

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RS3E135BNGZETB

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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RS3DHE3_A/H

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

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RS3G-M3/57T

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