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1380147US1JDFQ-13-Bild.Diodes Incorporated

US1JDFQ-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    US1JDFQ-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-Flat
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    2-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    US1JDFQ-13-ND
    US1JDFQ-13DITR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-Flat
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
US1JHE3_A/I

US1JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1J-TP

US1J-TP

Beschreibung:

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Beschreibung:

Hersteller: Vishay
vorrätig
US1JHR3G

US1JHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1K M2G

US1K M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1JE-TP

US1JE-TP

Beschreibung:

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1J-13

US1J-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
US1JFA

US1JFA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
US1J-13-F

US1J-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
US1J/1

US1J/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
US1JHM2G

US1JHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1J R3G

US1J R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1JDF-13

US1JDF-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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