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1863444US1J R3G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

US1J R3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    US1J R3G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    US1J R3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    75ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    US1J R3GCT
    US1J R3GCT-ND
    US1JR3GCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1G/1

US1G/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1GHM2G

US1GHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1GFA

US1GFA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
US1GWF-7

US1GWF-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1J-13-F

US1J-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1J/1

US1J/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1J-13

US1J-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1GHR3G

US1GHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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US1JDF-13

US1JDF-13

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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