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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXMN10A08E6TA

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ZXMN10A08E6TA-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMN10A08E6TA

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN10A08E6TA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN10A08E6TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-26
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (max)

1.1W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6
Andere Namen

ZXMN10A08E6CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 1.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.5A (Ta)

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Das Folgende sind "ZXMN10A08E6TA" -Einziper.

ZXMN10A25KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMHN6A07T8TA

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN0545FFTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A07FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A08E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A25K

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN0545G4TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A08GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMHC6A07N8TC

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A08DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A07FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A25GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A11K

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A11KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A11GTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A07ZTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A08DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A11GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A09KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMHC6A07T8TA

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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