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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXMN10A09KTC

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ZXMN10A09KTC-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMN10A09KTC

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN10A09KTC
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN10A09KTC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 4.6A, 10V
Verlustleistung (max)

2.15W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

ZXMN10A09KTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1313pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 5A (Ta) 2.15W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5A (Ta)

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Das Folgende sind "ZXMN10A09KTC" -Einziper.

ZXMN10A11GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A25KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A25GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A11GTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A11K

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A08GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10B08E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A25K

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A07FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A08E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN0545G4TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A07FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A08DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A08DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A07ZTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN0545FFTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN15A27KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10B08E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A08E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A11KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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