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269574ZXMN10A25K-Bild.Diodes Incorporated

ZXMN10A25K

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZXMN10A25K
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 2.9A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.11W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    ZXMN10A25KTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    859pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17.16nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 4.2A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4.2A (Ta)
ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN15A27KTC

ZXMN15A27KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A01FTA

ZXMN2A01FTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2069FTA

ZXMN2069FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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