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1295997ZXMN2088DE6TA-Bild.Diodes Incorporated

ZXMN2088DE6TA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZXMN2088DE6TA
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Leistung - max
    1.1W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6
  • Andere Namen
    ZXMN2088DE6TADI
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    279pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.7A 1.1W Surface Mount SOT-23-6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1.7A
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A01FTA

ZXMN2A01FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2069FTA

ZXMN2069FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A01FTC

ZXMN2A01FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A02X8TC

ZXMN2A02X8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A02X8TA

ZXMN2A02X8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A03E6TA

ZXMN2A03E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN15A27KTC

ZXMN15A27KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2A03E6TC

ZXMN2A03E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
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