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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXMN2A01E6TC

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ZXMN2A01E6TC-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TC

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN2A01E6TC
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN2A01E6TC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

303pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 2.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.5A (Ta)

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Das Folgende sind "ZXMN2A01E6TC" -Einziper.

ZXMN2A04DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A04DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN15A27KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A02X8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A25K

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10B08E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A01FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2088DE6TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A01E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A05N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN20B28KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A25GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A25KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A01FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A03E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2069FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A02X8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A03E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A02N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10B08E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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