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6300409ZXMN3A04DN8TA-Bild.Diodes Incorporated

ZXMN3A04DN8TA

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$1.857
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZXMN3A04DN8TA
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ZXMN3A04DN8TA.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 12.6A, 10V
  • Leistung - max
    1.81W
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    ZXMN3A04DN8CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1890pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36.8nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 1.81W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6.5A

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ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
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ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
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ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
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