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6651690ZXMN3A01FTC-Bild.Diodes Incorporated

ZXMN3A01FTC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZXMN3A01FTC
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    625mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    190pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.9nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 1.8A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1.8A (Ta)
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

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Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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