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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXMN6A11GTC
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6377805ZXMN6A11GTC-Bild.Diodes Incorporated

ZXMN6A11GTC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZXMN6A11GTC
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-261-4, TO-261AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    330pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.7nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.1A (Ta)
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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