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3455803

ZXMN6A25K-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMN6A25K

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN6A25K
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 7A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN6A25K.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.6A, 10V
Verlustleistung (max)

2.11W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

ZXMN6A25KTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 7A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Ta)

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Das Folgende sind "ZXMN6A25K" -Einziper.

ZXMN7A11KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A09KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A11DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A17E6QTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A17E6TA

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A16KTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN7A11GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A11DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A11ZTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMNS3BM832TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A11GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A10N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A11GTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A13FTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A13FQTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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