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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXMP10A13FQTA

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1689403

ZXMP10A13FQTA-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMP10A13FQTA

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMP10A13FQTA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMP10A13FQTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 600mA, 10V
Verlustleistung (max)

625mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

ZXMP10A13FQTADITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

141pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 100V 600mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

600mA (Ta)

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Das Folgende sind "ZXMP10A13FQTA" -Einziper.

ZXMN6A25KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMNS3BM832TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A18K

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A17GQTC

Beschreibung: MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A17GQTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25K

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A17GTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A11ZTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A17KTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A17E6TA

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A18GTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN7A11GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN7A11KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A16KTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A17E6QTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP10A13FTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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