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445421N4006/54-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N4006/54

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4006/54
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N4006/54.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AL (DO-41)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    1N4006/4
    1N4006/4GITR
    1N4006/4GITR-ND
    1N4006/54GITR
    1N4006GI
    1N4006GITR
    1N4006GITR-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4006

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Das Folgende sind "1N4006/54" -Einziper.
1N4006G B0G

1N4006G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4006-N-2-3-AP

1N4006-N-2-3-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006-N-2-2-BP

1N4006-N-2-2-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006E-E3/54

1N4006E-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4006FFG

1N4006FFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006-N-0-3-AP

1N4006-N-0-3-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006-N-0-4-AP

1N4006-N-0-4-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006-N-0-2-BP

1N4006-N-0-2-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006-T

1N4006-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4006FF

1N4006FF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
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1N4006G BK

1N4006G BK

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006-N-0-1-BP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006-N-2-1-BP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
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1N4006B-G

1N4006B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
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1N4006G A0G

1N4006G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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1N4006-TP

1N4006-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
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1N4006E-E3/73

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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1N4006-N-2-4-AP

1N4006-N-2-4-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006G

1N4006G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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1N4006G

1N4006G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
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