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20338271N4006G A0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

1N4006G A0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4006G A0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4006G A0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AL (DO-41)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    1N4006G A0G-ND
    1N4006GA0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "1N4006G A0G" -Einziper.
1N4006G-T

1N4006G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4006G BK

1N4006G BK

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006GHA0G

1N4006GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4006FFG

1N4006FFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006GL-T

1N4006GL-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4006B-G

1N4006B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4006FF

1N4006FF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006G R0G

1N4006G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4006G

1N4006G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N4006E-E3/54

1N4006E-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4006/54

1N4006/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4006G

1N4006G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006G R1G

1N4006G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4006G B0G

1N4006G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4006-T

1N4006-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4006-TP

1N4006-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4006E-E3/73

1N4006E-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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