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1N4006G BK

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4006G BK
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURPOSE DO41
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    1N4006G BK-ND
    1N4006GBK
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Diode
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006/54

1N4006/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4006G

1N4006G

Beschreibung:

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006G B0G

1N4006G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006B-G

1N4006B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
1N4006E-E3/54

1N4006E-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4006G A0G

1N4006G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006G

1N4006G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4006G-T

1N4006G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N4006GP

1N4006GP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4006E-E3/73

1N4006E-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4006G R0G

1N4006G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006GP-E3/54

1N4006GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4006FF

1N4006FF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
1N4006GHA0G

1N4006GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006FFG

1N4006FFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4006G R1G

1N4006G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006GL-T

1N4006GL-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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