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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Brücke-Gleichrichter > GBL04-E3/51
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561999GBL04-E3/51-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

GBL04-E3/51

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2500+
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$0.527
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GBL04-E3/51
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    400V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 4A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    GBL
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SIP, GBL
  • Andere Namen
    GBL04-E3/51-ND
    GBL04-E3/51GI
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    46 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBL
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
GBL02-E3/51

GBL02-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL02-E3/45

GBL02-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL06-E3/51

GBL06-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL02HD2G

GBL02HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL02

GBL02

Beschreibung: DIODE BRIDGE 200V 4 A- GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
GBL06-E3/45

GBL06-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL06 D2G

GBL06 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL02 D2G

GBL02 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL02-M3/45

GBL02-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL06-M3/45

GBL06-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL04 D2G

GBL04 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL06-M3/51

GBL06-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL06

GBL06

Beschreibung: DIODE BRIDGE 600V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
GBL06HD2G

GBL06HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL04-M3/51

GBL04-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 400V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL02-M3/51

GBL02-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL04HD2G

GBL04HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL06-G

GBL06-G

Beschreibung: DIODE BRIDGE 4A 600V 2GBJ

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
GBL04

GBL04

Beschreibung: DIODE BRIDGE 400V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
GBL04-E3/45

GBL04-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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