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6216724GBL06-Bild.GeneSiC Semiconductor

GBL06

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GBL06
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE BRIDGE 600V 4A GBL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.GBL06.pdf
    2.GBL06.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    600V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 4A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    GBL
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SIP, GBL
  • Andere Namen
    1242-1221
    GBL06GN
    GBL06GN-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBL
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    4A

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Das Folgende sind "GBL06" -Einziper.
GBL06-E3/51

GBL06-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBL02-M3/51

GBL02-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBL06-E3/45

GBL06-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBL02-E3/51

GBL02-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBL02-M3/45

GBL02-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBL06-G

GBL06-G

Beschreibung: DIODE BRIDGE 4A 600V 2GBJ

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
GBL04HD2G

GBL04HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GBL04-E3/45

GBL04-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBL04-M3/51

GBL04-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 400V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBL08

GBL08

Beschreibung: DIODE BRIDGE 800V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GBL08-E3/45

GBL08-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBL06 D2G

GBL06 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GBL02HD2G

GBL02HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GBL04

GBL04

Beschreibung: DIODE BRIDGE 400V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GBL04-E3/51

GBL04-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBL06HD2G

GBL06HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GBL08 D2G

GBL08 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GBL06-M3/45

GBL06-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBL04 D2G

GBL04 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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GBL06-M3/51

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Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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