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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Brücke-Gleichrichter > GBL06-M3/51

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780495

GBL06-M3/51

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vorrätig

2400+

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Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

GBL06-M3/51
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GBL06-M3/51.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)

600V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A
Technologie

Standard
Supplier Device-Gehäuse

GBL
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

4-SIP, GBL
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

46 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Single Phase
detaillierte Beschreibung

Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBL
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 600V
Strom - Richt (Io)

4A

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Das Folgende sind "GBL06-M3/51" -Einziper.

GBL04-M3/51

GBL04-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 400V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL08 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL10

GBL10

Beschreibung: DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

GBL08

GBL08

Beschreibung: DIODE BRIDGE 800V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

GBL08-G

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 4.0A 800V 2GBJ

Hersteller: Comchip Technology

vorrätig

GBL06-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL04HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL08-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL04-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL08-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL06

Beschreibung: DIODE BRIDGE 600V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

GBL06 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL08HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL06HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL06-M3/45

GBL06-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL06-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL06-G

Beschreibung: DIODE BRIDGE 4A 600V 2GBJ

Hersteller: Comchip Technology

vorrätig

GBL08-M3/51

GBL08-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL04-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL08-M3/45

GBL08-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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